PS105F6A-07W21, 9-18V çalışma gerilimine ve maksimum 6A(Anlık) akım kapasitesine sahip iki çıkışlı MOSFET ve IGBT sürücü cihazıdır. İki çıkışından biri terslenmiş diğeri ise terslenmemiş çıkıştır.
PS105F6A-07W21, 9-18V çalışma gerilimine ve maksimum 6A(Anlık) akım kapasitesine sahip iki çıkışlı MOSFET ve IGBT sürücü cihazıdır. İki çıkışından biri terslenmiş diğeri ise terslenmemiş çıkıştır. Devre kartında kullanılan yükseltici modülleri ve sürücü tasarımı ile MOSFET’lerin ve IGBT’lerin GATE uçlarındaki kapasitif yükü altı amperlik anlık akımıyla hızlıca (12V – 28 ns – 2,5 nF) şarj eder. Bu sayede daha yüksek akım seviyeleri daha yüksek frekanslarda anahtarlama bozulması (sinyal bozulması) olmadan kontrol edilebilir.
Kontrol mekanizması oldukça kullanışlı ve kullanıcı dostudur. Kontrol işlemlerinin tamamı devre kartının sağ üst kısmında bulunan açısal okuyucu ile gerçekleştirilmektedir. Yapılan her değişiklik cihazın dâhili hafızasına kaydedilir. Kontrol işlemlerinin nasıl kullanılacağı hakkında detaylı bilgi için Resimli Açıklama başlığına bakınız.
PWM çıkışları ve besleme girişleri uygulamaların gerekliliğine göre M2 çapında hazırlanmıştır. Bu sayede lehimsiz olarak da uygulamalarda kullanılabilmektedir. Cihazın ve pin çıkışlarının fiziksel bilgileri için Teknik Çizim başlığına bakınız.
Display üzerinde yapılan her değişiklik için cihaz bir dizi matematiksel işlemler başlatır ve istenilen değere cihazın çözünürlük değerlerine en yakın olan konfigürasyon hesaplanarak 50 ms içinde ekranda gösterilir. Çözünürlük değerleriyle ilgili daha fazla bilgi için Elektriksel Karakteristikler başlığına bakınız.
Not: Yapılan her değişiklik cihazın dâhili hafızasına kaydedilir. Böylece, her çalıştırmada yeniden yapılandırma gerektirmez.
Not: Ekran parlaklığını, ekranın altında kalan devre kartının sol tarafındaki hassas ayarlı direnç ile değiştirebilirsiniz.
Yandaki tabloda “En Fazla” olarak belirtilen seviyelerin üstünde cihazı çalışmaya zorlamak cihazın ısınmasına ve kalıcı hasar almasına sebep olabilir. Cihazın, bu teknik belgede belirtilenlerin çalışma sınırların dışında işlevsel çalışması düşünülemez. Uzun süre “En Fazla” derecelendirme koşullarında çalışmaya maruz kalma cihaz güvenilirliğini etkileyebilir.
Not1: Güç tüketimi, kontrol edilecek MOSFET’ler ve/veya IGBT’ler grubunun mevcut çalışma noktasındaki Toplam Gate Şarjı[Qg] ve Toplam İç Kapasitesi[pF] ile doğrudan ilişkilidir.
Not: Yoğun manyetik ve elektrik alan değişiminin bulunduğu uygulama alanlarında, cihazın ve tetiklemesinyalinin ortamın zararlı etkilerine maruz kalmaması, montaj için hazırlanan yüzeyin topraklı olması ve sinyalin topraklı kablo ile iletilmesi hem uygulamanız hem de cihaz için yararlı olacaktır.
Bilgi: Aşağıda sunulan test sonuçlarında bahsi geçen Ciis, Giriş Kapasitesi, Kullanılan MOSFET’lerin ve IGBT’lerin VGS=0, VDS=±25V, f=1.0MHz’deki giriş kapasite değerlerinin toplamını ifade etmektedir. Qg, Toplam Gate Şarjı, Kullanılan MOSFET’lerin ve IGBT’lerin VGS =±10V, ID=0.8IDmax VDS=0.8VDSmax koşullarındaki toplam Gate şarjını ifade etmektedir
Uyarı: Cihazın maksimum çıkış gücünü aşmayacak şeklide sürülecek MOSFET’lerin ve IGBT’lerin Not1’de bahsedilen özellikleri göz önünde tutularak uygun Gate dirençleri yerleştirilmesi gerekmektedir. Cihazı, şekillerde gösterilen güvenli bölgenin dışında çalıştırmak, cihazın ısınmasına ve kalıcı hasar almasına neden olabilir.
