DI30A-25W10-NA – IGBT ve SiC MOSFET için 30 A İzole Gate Driver
DI30A-25W10-NA; 30 A tepe source ve 45 A tepe sink akım kapasitesine sahip tek kanallı izole gate driver modülüdür. High-side veya low-side gate-drive çalışmasını destekler ve 1200 V sınıfına kadar IGBT ve SiC MOSFET’leri sürmek için uygundur. PWM interlock, UVLO, DESAT, Active Miller Clamp, negatif bias desteği, gate aşırı gerilim ve gate geçici gerilim koruması gibi entegre koruma özellikleri içerir.
- Çıkış kabiliyetleri:
- High-side veya low-side sürme
- Gate tepe akımı: 30 A source / 45 A sink
- Gate sürme gerilimi: 13 V – 20 V
- 1200 V’a kadar IGBT ve SiC MOSFET sürme
- Fonksiyonel koruma özellikleri:
- PWM interlock
- UVLO: 12 V
- DESAT: 7.4 V / 2.7 µs
- Active Miller clamp: 10 A
- Negatif bias: −9 V’a kadar
- Gate aşırı gerilim koruması: VGATE > 20 V
- Gate transient koruması: VGATE > VDRIVE + 0.75 V
- Gelişmiş izolasyon:
- Ortak mod geçici bağışıklığı: >150 V/ns
- Çalışma gerilimi (maks.): 1500 VRMS
- Tekrarlanan tepe gerilimi (maks.): 2100 V
- Lojik bölüm ESD koruması: 8 kV
- Lojik girişler ve çıkışlar:
- Besleme gerilimi: 3 V – 5.5 V
- Power-good çıkışı
- Analog sensör sinyali için izole PWM çıkışı
- Aşırı akım ve kısa devre hata çıkışı
